扫描电子显微镜/X射线能谱仪(SEM/EDS)
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技术指标
二次电子分辨率:1.0nm(15 kV); 2.0 nm(1 kV)背散射电子分辨率:3.0 nm(15 kV)
电子枪:冷场发射电子源
加速电压:0.5~30 kV(0.1 kV/步,可变)
放大倍率:×30 ~ ×800,000。
X射线能谱仪的元素分析范围为Be4~U92。